按其静态耗流来分，分为 OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三种产物。OmniPowerTM LDO的静态电流正在100mA-1mA，MicroPowerTM LDO的静态电流正在10mA-100mA，NanoPowerTM LDO的静态电流幼于10mA，常常只要1mA。OmniPowerTM LDO 是一种静态电流稍大但机能优于三端的新型线性稳压器，实用于应用AC/DC固定电源的全部电子、电器产物。因其需求量大，临盆量大，而临盆本钱极低，价值很是省钱。MicroPowerTM LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器，它拥有极低的自有噪音和较高的电源纹波克造(PSRR)，拥有躁急的使能驾驭功效，给它一个高或低的电平可使它进入事业状况或睡眠状况，拥有最好的机能/功率比，实用于正在需求低噪音的手机电源中应用。NanoPowerTM LDO 是一种毫微功耗的低压差线性稳压器，拥有极低的静态电流，稳压很是切确，最实用于需求节电的手提电子、电器产物，见图1。

　　LDO的机闭是一个微型的片上体例，它由作电流主通道的、拥有极低正在线导通电阻RDS(ON)的MOSFET、肖特基二极管、取样电阻、分压电阻、过流爱戴、过温爱戴、周到基准源、差分放大器、延迟器、POK MOSFET 等专用晶体管电道正在一个芯片上集成而成，如图 2。

　　POK(Power OK)是新一代LDO都具备的输出状况自检、延迟安静供电功效，也有称之为Power good即“电源好”。

　　LDO 的事业道理是通过负反应调动输出电流使输出电压维系稳固。LDO是一个步降型的DC/DC 转换器，是以Vin Vout，它的事业效劳：LDO的效劳通常为60-75%，静态电流幼的效劳会好极少。

　　LDO的操纵电道很是轻易纯洁，事业时仅需求二个作输入、输出电压退耦降噪的陶瓷电容器，见图 3。

　　Vin和Vout的输入和输出滤波电容器，该中选用宽界限的、低等效串联电阻(ESR)、低价陶瓷电容器，使LDO正在零到满负荷的一齐量程界限内稳压成效安靖。极少LDO有一个Bypass附加脚，由它连合一个幼的电容器，可能进一步低浸噪音。

　　电容器的拔取相干到策画产物的质料和本钱，电容器的电容值、电介质资料类型、物理尺寸、等效串联电阻(ESR)等这些要紧参数都是策画工程师所要研讨的。正在LDO应用电道的策画中，陶瓷电容器是最好的拔取，由于陶瓷电容器无极性和拥有低的ESR，典范值100mW，电容器的ESR对输出纹波有巨大影响，而ESR受电容器的类型、容量、电介质资料和表壳尺寸影响，如常用的贴片电容器X7R 电介质是最好的，但应用本钱略高，X5R 电介质较好，机能/价值比适宜，而Y5V电介质较差，但本钱较低。

　　LDO正在PCB板上的工艺走线很是要紧，当工艺走线不良和逼近RF线时降噪机能会受影响。滤波电容器汇入地节点拔取不良时，由负载返回地的电流中，噪音和纹波城市增多。正在常常的布线策画中频频遭遇此类景况(图 4)。如将此布线线道优化，则可正在由负载返回地的电流中，噪音和纹波都降至最幼(图 5)。理思的PCB板布线策画是接所在尽大概的粗短和走捷径，走线肯定要研讨各个器件间的搅扰和辐射，器件的合理陈设可有利于有用地裁汰各个器件间的彼此搅扰和辐射，如图 6所示。

　　新一代的LDO都是用CMOS工艺临盆的，它和应用Bipolar工艺临盆的LDO功效上没有多大的区别，然而静态电流、压降、噪音和本钱等的内正在机能有很大的提升(表 1)。